摘要：对场效应晶体管的进一步理解可以通过它的参数来解释一、场效应管介绍场效应管是一种电压控制元件，它有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等特性.场效应晶体管分为两类：结型、绝缘栅型.A结场效应...

对场效应晶体管的进一步理解可以通过它的参数来解释

一、场效应管介绍

场效应管是一种电压控制元件，它有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等特性.

场效应晶体管分为两类：结型、绝缘栅型. A结场效应晶体管(JFET)因其两个PN结而得名，绝缘栅场效应晶体管(JGFET)因其栅极和其他电极之间完全绝缘而得名。目前，最为普遍的是MOS场效应管，简称MOS管。用于绝缘栅场效应晶体管

二、场效应管的主要参数

场效应管的参数有很多，包括DC参数、交流参数和极限参数，但一般应用中只需注意以下主要参数：饱和漏源电流IDSS夹断电压Up，(结型晶体管和耗尽型绝缘栅晶体管)，或导通电压ut(增强型绝缘栅晶体管)，跨导gm，漏源击穿电压BUDS，最大耗散功率PDSM和最大漏源电流IDSM。以下描述MOS管常用的参数。

1、饱和漏源电流

饱和漏源电流IDSS是指结型或耗尽型绝缘栅场效应晶体管中栅极电压UGS=0时的漏源电流。

2、夹断电压

夹断电压UP是指当漏极和源极刚刚被切断时，结型或耗尽型绝缘栅场效应晶体管中的栅极电压。

3、开启电压

导通电压UT是指增强型绝缘栅场效应管中漏极和源极刚导通时的栅极电压。

4、跨导

跨导gm代表栅源电压UGS对漏电流ID的控制能力，即漏电流ID的变化与栅源电压UGS的变化之比。9m是衡量场效应管放大能力的重要参数。

5、漏源击穿电压

漏源击穿电压是指当栅源电压UGS不变时，场效应晶体管可以接受的最大漏源电压。这是一个极限参数，施加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。

6、最大耗散功率

最大耗散功率PDSM也是一个极限参数，它指的是当场效应晶体管的性能不恶化时允许的最大漏极-源极耗散功率。在应用中，场效应管的实际功耗应小于PDSM，并有固定的余量。

7、最大漏源电流

最大漏极-源极电流IDSM是另一个极限参数，它是指当场效应晶体管正常工作时，漏极和源极之间允许通过的最大电流。场效应晶体管的工作电流不应超过IDSM。